1、外延（生長）混合氣：在半導體工業(yè)中，在仔細選擇的襯底上選用化學氣相淀積的方法，生長一層或多層材料所用的氣體叫作外延氣體。常用的硅外延氣體有二氯二氫硅（DCS）、四氯化硅（SiCl4）和硅烷等。主要用于外延硅淀積、氧化硅膜淀積、氮化硅膜淀積，太陽能電池和其它光感受器的非晶硅膜淀積等。外延是一種單晶材料淀積并生長在襯底表面上的過程。
 
 
2、化學氣相淀積（CVD）用混合氣：CVD是利用揮發(fā)性化合物，通過氣相化學反應(yīng)淀積某種單質(zhì)和化合物的一種方法，即應(yīng)用氣相化學反應(yīng)的一種成膜方法。依據(jù)成膜種類，使用的化學氣相淀積（CVD）氣體也不同。