6. 摻雜氣體(Dopant Gases)：在半導(dǎo)體器件和集成電路制造中, 將某種或某些雜質(zhì)摻入半導(dǎo)體材料內(nèi), 以使材料具有所需要的導(dǎo)電類型和一定的電阻率, 用來制造PN結(jié)、電阻、埋層等。摻雜工藝所用的氣體摻雜源被稱為摻雜氣體。主要包括砷烷、磷烷、三氟化磷、五氟化磷、三氟化砷、五氟化砷、三氯化硼和乙硼烷等。通常將摻雜源與運載氣體(如氬氣和氮氣) 在源柜中混合, 混合后氣流連續(xù)流入擴散爐內(nèi)環(huán)繞晶片四周, 在晶片表面沉積上化合物摻雜劑, 進而與硅反應(yīng)生成摻雜金屬而徙動進入硅。

        7. 熏蒸氣體(Sterilizing Gases) ：具有殺菌作用的氣體稱熏蒸氣體。常用的氣體品種有環(huán)氧乙烷、磷烷、溴甲烷、溴甲醛、環(huán)氧丙烷等。其滅菌原理是利用烷化作用, 使微生物組織內(nèi)維持生命不可缺少的物質(zhì)惰化。最經(jīng)常使用的是以不同比例配制的環(huán)氧乙烷和二氧化碳的混合氣, 根據(jù)用途不同, 環(huán)氧乙烷的含量可以是10%、20%和30%等。也可采用環(huán)氧乙烷和氟利昂12的混合氣,環(huán)氧乙烷與氟利昂11和氟利昂12的混合氣等。殺菌效果與各組分濃度、溫度、濕度、時間和壓力等因素有關(guān)。熏蒸氣體可以用于衛(wèi)生材料、醫(yī)療器具、化妝品原料、動物飼料、糧食、紙鈔、香辣
 

          8. 焊接保護氣體(Welding Gases)：氣體保護焊由于具有焊接質(zhì)量好, 效率高, 易實現(xiàn)自動化等優(yōu)點而得以迅速發(fā)展。焊接保護氣體可以是單元氣體, 也有二元、三元混合氣。采用焊接保護氣的目的在于提高焊縫質(zhì)量, 減少焊縫加熱作用帶寬度, 避免材質(zhì)氧化。單元氣體有氬氣、二氧化碳, 二元混合氣有氬和氧, 氬和二氧化碳, 氬和氦, 氬和氫混合氣。三元混合氣有氦、氬、二氧化碳混合氣。應(yīng)用中視焊材不同選擇不同配比的焊接混合氣。

        9. 離子注入氣( Gases for IonImplantation)：離子注入是把離子化的雜質(zhì), 例如P + 、B + 、As+加速到高能量狀態(tài),然后注入到預(yù)定的襯底上。離子注入技術(shù)在控制Vth(閾值電壓) 方面應(yīng)用得最為廣泛。注入的雜質(zhì)量可通過測量離子束電流而求得。離子注入工藝所用氣體稱離子注入氣, 有磷系、硼系和砷系氣體。

        10. 非液化氣體(Nonliquefied Gases)：壓縮氣體依據(jù)于一定壓力和溫度下在氣瓶中的物理狀態(tài)和沸點范圍可以區(qū)分為兩大類, 即液化氣體和非液化氣體。非液化氣體系指除溶解在溶液中的氣體之外, 在2111℃和罐裝壓力下完全是氣態(tài)的氣體。也可定義為在正常地面溫度和13789～17237kPa 壓力下不液化的氣體。